導(dǎo)航
第一個(gè)工藝是鑄塊。鑄塊是制作晶圓的基板。將結(jié)晶硅和硼酸（B），磷（P）一起放入石英坩堝中，高溫溶解。將結(jié)晶棒浸入溶解的硅液面，一邊旋轉(zhuǎn)，一邊慢慢的向上提起，單結(jié)晶鑄塊完成，并且其原子配列和結(jié)晶棒相同。
這個(gè)是將鑄塊研磨薄之后加工晶圓的工藝
第一步制作的鑄塊被線鋸切薄后，成圓盤狀。這個(gè)叫晶圓。這個(gè)晶圓表面是凹凸不平的，通過(guò)rapping（粗研磨）?蝕刻（化學(xué)方式研磨）?拋光（鏡面研磨）這幾個(gè)研磨工藝打磨光滑。
研磨后的晶圓厚度根據(jù)SEMI規(guī)格等有一點(diǎn)基準(zhǔn)，例如“12”晶圓，其厚度就在775μm±20μ
這個(gè)過(guò)程叫做清洗。主要為了去除附著在表面的異物。如果晶圓上有異物，之后再結(jié)晶成長(zhǎng)工藝和光刻工藝中會(huì)產(chǎn)生不良。通過(guò)過(guò)酸化氫和鹽酸、氫氟酸等清洗液去除晶圓上的粒子和金屬，有機(jī)物。之后用非常干凈的被稱作超純水的清洗用水流動(dòng)清洗，旋轉(zhuǎn)干燥。潮濕的話，空氣中的粒子可能會(huì)污染剛洗凈的晶圓。
在晶圓表面酸化過(guò)程中，形成通過(guò)熱處理產(chǎn)生的優(yōu)質(zhì)表面酸化膜。酸化設(shè)備主要有縱型爐，橫型爐和ＲＴＰ設(shè)備。通過(guò)酸化爐加高溫度（約800℃以上），在流入混有氧的煤氣，形成酸化膜
通過(guò)晶圓探針，測(cè)試晶圓上形成的所有芯片的電氣特性。通過(guò)這個(gè)測(cè)試，可以辨別芯片的不良品。
晶圓表面pattern完成后，研磨晶圓正反面，削薄厚度。研磨后晶圓全體厚度不勻，需要盡可能控制厚度不勻。
將前工藝中制作的晶圓在后工藝中一個(gè)一個(gè)切開(kāi)分離IC芯片，封裝。把芯片切小這個(gè)工藝叫做切片。主要通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)鉆石材質(zhì)的圓形刀片，用純水一邊冷卻一邊沖洗切割中的碎渣完成切片的。
完成后的芯片通過(guò)線粘合和再配線層，配線于封裝基板和硅支持基板等中。之后，芯片用樹脂封裝完成。
完成半導(dǎo)體封裝后，可以組裝到汽車，智能手機(jī)，IoT驅(qū)動(dòng)、云、AI關(guān)聯(lián)產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域中。
